メモリー関連
RAM【Random Access Memory】
Random Access Memoryの頭文字をとったもの。格納されたデータに任意の順序でアクセスできます。単位容量あたりの価格は高いので、大量には使用できません。PCのメインメモリやメモリー容量のことを指します。
ROM【Read Only Memory】
Read Only Memoryの頭文字をとったもの。既にデータが記録された状態で、書き込みが不可能な半導体メモリを意味します。種類によっては全消去ができたり、ブランク状態での書き込みが可能なものもあります。
フラッシュメモリ【flash memory】
データの書き込みや消去が可能な半導体メモリを意味します。電源を切ってもデータが消えないROM（Read Only Memory）と、電源とともに内容が消えるRAM(Random Access Memory)の両者を兼ね備えています。
NAND【Not AND】
不揮発性記憶素子のフラッシュメモリの一種です。主な用途として、磁気ディスクの代わりにデータ保存や運搬を行います。電源を切ってもデータを保存できるこの「不揮発性メモリー」はパソコンやSD・MDカード、携帯音楽プレイヤー、携帯電話などの記憶装置に使用されています。
DRAM【dynamic random access memory】
Dynamic Random Access Memoryの略で、半導体を使用した記憶素子のひとつ。コンデンサーに電荷を蓄えて情報を記憶するため、電荷がなくなると記憶が消えます。一定時間毎に記憶を保持するため、再書き込み作業（リフレッシュともいいます）をする必要があります。
半導体メモリー【semiconductor memory】
電子機器で扱うデータを記憶する素子のことです。HDDやCDのような記憶装置に比べて、高速・高密度・低消費電力・低故障で耐振動性に優れています。線幅20ナノ(ナノは10億分の1)メートル台、10ナノメートル台で微細化技術に物理的な限界が来るとされています。
ReRAM【Resistive RAM】
抵抗変化式メモリーという次世代メモリーのことです。電源を切ってもデータが消えない半導体メモリーの一種で、電圧を加える抵抗の違いによって情報を記録する仕組みでできています。素子構造が簡単なため、回路の微細化で性能を上げやすく比較的低コスト化が可能です。消費電力も低いので、携帯情報端末やパソコンの記憶装置などでの採用が期待されています。
